短パルスレーザー

微細レーザー加工機ABLASER

独自技術の光学ヘッドにより高精度高能率な加工を実現

ABLASER

特長

独自技術による光学系ヘッドにより高精度ヘリカル加工を実現しました。

レーザービームを任意の穴径に調整して回転させるプリズムローテータをヘッドに採用、シャープなエッジをもつ形状加工を実現しました。 また、ストレート、テーパ、逆テーパ、鼓型などの任意の断面形状の穴加工も可能です。

ABLASERイラスト

ヘリカル加工の模式図

通常の非ヘリカル加工
通常の非ヘリカル加工
当社ヘリカルミーリング加工
当社ヘリカルミーリング加工

シリコン材への切断試験結果

通常の非ヘリカル加工
ストレート穴
当社ヘリカルミーリング加工
逆テーパ穴
当社ヘリカルミーリング加工
鼓穴

加工事例

シリコン面直微細穴加工

シリコン面直微細穴加工
材質シリコンウェハ
穴径0.15mm
板厚0.5mm
加工時間9.0sec/穴

SiC面直微細穴加工

SiC面直微細穴加工
材質SiC
穴径0.08mm
板厚1.0mm
加工時間15.0sec/穴

マシナブルセラミック面直微細穴加工

マシナブルセラミック面直微細穴加工
材質マシナブルセラミック
穴径0.06mm
板厚0.6mm
加工時間5.0sec/穴

ヘリカルミーリング穴加工

SiC面直微細穴加工
材質プラチナ
穴径φ2.0mm
板厚1.5mm
加工時間4.0sec/穴

タンタル酸リチウム(LiTaO3)

レーザ入射側とレーザ出射側拡大写真
穴径シリコンウェハ
ピッチ0.15mm
板厚0.5mm
アスペクト比12.5
半導体製品で使用される、タンタル酸リチウムに
φ0.02mmの穴をあけることができます。

タンタル酸リチウム&シリコンウェーハ

レーザ入射側とレーザ出射側拡大写真
穴径0.015mm
ピッチ0.1mm
板厚0.2mm
アスペクト比13.3
半導体製品で使用される、タンタル酸リチウムとシリコンのような複層材でも、同時加工でφ0.015mmの穴をあけることができます。

ステンレス鋼 小径穴加工

レーザー貫通側
穴径0.027mm
板厚0.30mm
アスペクト比11.1
グリーンレーザーのABLASERで、最小穴径φ27μmも加工可能。

超硬合金 四角穴加工

レーザー貫通側
サイズ0.20mm
板厚1.00mm
板厚1.0mmの超硬合金にも、エッジがきれいな四角穴を加工。

石英ガラス 穴加工

マシナブルセラミック面直微細穴加工
穴径φ0.185 mm
ピッチ0.300mm
板厚0.2mm
アスペクト比1.08
石英ガラスに対して、熱影響がなく良好な真円度で加工することが可能。

スペック

項目 仕様 備考
X軸(mm) 300 精密スケール標準付属
Y軸(mm) 200 精密スケール標準付属
Z軸(mm) 100 精密スケール標準付属
位置決め精度(mm) ±0.002
最大送り速度(m/min) 10
NC装置 FANUC 31iB
最大出力 30W
波長(nm) 515
レーザーヘッド 当社製
加工径(mm) φ0.05~0.3 材質によって変わる場合があります。
テーパ穴制御 順テーパ/逆テーパ/鼓形状
アシストガス 被削材毎に設定
幅×奥行×高さ 2,040×2,590×2,220 機械本体のみ。
制御盤・付属機器は除く。
重量 5.0t 機械本体のみ。
制御盤・付属機器は除く。
ヒュームコレクタ 付属
機内空調
X/Y/Z軸ジャバラ 耐熱仕様
オプション 芯出し機能
ソータ対応
クリーンルーム対応
その他ご要望に応じます。